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在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導體器件和集成電路會議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學江蘇省第三代半導體與高能效器件重點實驗室張榮和陸海教授研究團隊入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應研究論文，向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。

隨著半導體器件向更小尺寸、更高性能發(fā)展，表界面原子級結構對器件性能的影響愈發(fā)顯著。表界面缺陷不僅降低載流子遷移率、增加電

在近期落幕的第 37 屆功率半導體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學電氣工程學院電力電子器件實驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機構和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團隊在寬禁帶功率半導體領域的卓越科研實力。

第37屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時也了解了當前最新技術&新方向，以下簡單回顧一下熱點走向！

6月4日，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商瞻芯電子，在第37屆國際功率半導體器件和集成電路研討會（ISPSD2025）

5月23-24日， 2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）在南京舉辦。

5月23日，2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導體總經(jīng)理王慶宇應邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來：突破功率極限，引領能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領域的卓越優(yōu)勢

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展》的主題報告，報告將從產(chǎn)品結構、制造工藝、可靠性、典型應用等方面出發(fā)，介紹當下SiC功率MOSFET器件關鍵技術的最新進展，并對未來的發(fā)展趨勢做出展望，敬請關注！

5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導體有限公司將亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，揚州揚杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，深圳市矢量科學儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

詳細日程| 2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復旦大學上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會議，并帶來《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關注！

5月22-24日，2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于南京舉辦。中國科學技術大學教授楊樹將受邀出席會議，并帶來《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術》的大會報告，

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來《寬禁帶半導體3D集成技術》的主題報。報告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請關注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，西安電子科技大學集成電路學部/教授、芯豐澤半導體創(chuàng)始人宋慶文將受邀出席論壇，并帶來《高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展》的主題報告，報告將介紹包括高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進展，討論高性能SiC功率器件關鍵性能提升和可靠性等方面熱點問題，敬請關注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，西安電子科技大學教授趙勝雷將受邀出席論壇，并帶來《GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關注！