3月15日，火炬工業集團與深圳愛科思達科技有限公司（下稱愛科思達）舉行智能電源設備研發制造基地項目簽約儀式。愛科思達公司成
近日，從順義科創集團獲悉，入駐企業北京銘鎵半導體有限公司實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首批掌握第四代半導體4英
提前布局、抓住先機，北京經開區搶占第三代半導體制高點
長治高新區紫外半導體光電創新型產業集群入選全國試點
智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅電控系統和電源系統帶來的新的技術進展。
當下，手機、筆記本電腦等移動終端，是許多人必不可少的電子產品。充電 5 分鐘、通話 2 小時即是大家耳熟能詳的一句廣告詞，也體
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬
2月24日，2021年度湖南省科學技術獎勵大會召開。會議表彰了2021年度湖南省科學技術獎，共有授獎項目（團隊、人選）293項，其中杰
知名咨詢機構德勤今天發布的《2023科技、傳媒和電信行業預測》報告預計，2023年底，全球投資5G獨立組網的移動網絡運營商數量將會
?第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）通過在全球范圍內集成和共享創新資源，構建以市場為牽引，研發、產業、資本深度融合
近日，美國最大的半導體設備制造商應用材料公司公布了其上季度財報，并預計在汽車和工業芯片制造設備的強勁需求推動下，公司在下一財季仍可以實現強勁的銷售數據。
單片三維集成是集成電路在后摩爾時代的重要發展方向，存儲與邏輯的單片集成可以大幅提升系統的帶寬與能效，是解決當前集成電路領
2月15日，中國半導體行業協會發布嚴正聲明：據海外媒體報道，美國、荷蘭、日本三國政府達成協議，將對中國芯片制造施加新的設備
半導體發光器件是固態顯示與照明技術的共同基礎。近年來，隨著人們對不同類型的發光器件的深入研究，新型顯示與照明技術得到了相
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬
作為第三代半導體應用的第一個突破口，半導體照明過去近20年的發展是由核心技術的不斷進步和突破帶動，邊開花邊結果，開啟了一個
由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟及其他12家行業組織聯合主辦的2023年第二屆先進半導體領域產教融合人才發展論壇（第八屆國際
2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。
2023年2月10日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利閉幕。
以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的