5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關注！
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域
天眼查顯示，泰科天潤半導體科技(北京)有限公司一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年3月7
近日，清純半導體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ
納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術，經過嚴格
近日，致瞻科技與歐洲行業頭部企業正式簽署長期保障供貨協議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術和液冷超充系統集成能力，成為該客
近期，全國建設項目環境信息公示平臺發布了河北同光科技發展有限公司年產7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環境保護驗收公示。該項目
天眼查顯示，湖南三安半導體有限責任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申
國家知識產權局信息顯示，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應用的專利，
4月10日，意法半導體官網宣布 重塑制造布局和調整全球成本基礎 計劃。預計在未來3年，重點關注300mm 硅、200mm 碳化硅的先進制造
國家知識產權局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利
4月8日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司正式向港交所遞交上市申請，中金公司為其保薦機構，港股有望迎來一家全球碳化硅外
2025年開局，中國新能源汽車市場延續了此前的強勁勢頭。1-2月產銷分別完成190.3萬輛和183.5萬輛，同比增速達52%，滲透率攀升至41
4月7日，據大眾新聞報道，天岳先進位于濟南市槐蔭區的碳化硅項目即將迎來投產。據了解，該項目為年產500噸碳化硅單晶基地擴產能
4月8日午間，士蘭微(600460)披露公司碳化硅項目的最新進展。經過加快建設，第Ⅱ代SiC芯片生產線產能正在釋放。同時，第Ⅳ代SiC芯
4月2日下午，魯晶半導體技術團隊在徐文匯總經理的帶領下，赴山東大學新一代半導體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術交流
近日，深圳市金威源科技股份有限公司與杰平方半導體（上海）有限公司正式簽訂碳化硅戰略合作協議，雙方企業負責人及相關人員出席
天岳先進攜全系12英寸碳化硅襯底產品矩陣震撼登場。其中，12英寸碳化硅光學片更是成為展會焦點，不僅展示了天岳先進的技術實力，也為AR虛擬顯示領域帶來了全新的解決方案。
碳化硅作為一種高性能材料，因其獨特的物理和化學性質，在半導體行業中，特別是作為涂層材料時，展現出了顯著的優勢。一代材料，