杭州鎵仁半導體實現氧化鎵晶體生長技術重大突破

2024年10月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）在氧化鎵晶體生長方面實現新的技術突破，基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備(非銥坩堝)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生長出2英寸氧化鎵單晶，在國內尚屬首次。

 2英寸氧化鎵單晶

關于鎵仁半導體

鎵仁半導體自2022年9月成立以來，便以其卓越的科技實力在寬禁帶半導體材料領域嶄露頭角。作為一家集研發、生產、銷售于一體的高新技術企業，鎵仁半導體專注于氧化鎵襯底、外延、設備的發展，致力于推動半導體技術的革新。自成立以來，鎵仁半導體榮獲國家級科技型中小企業、浙江省創新型中小企業、浙江省科技型中小企業等榮譽，并成功獲得了蕭山區“5213”項目（卓越類）和杭州市蕭山區領軍型創新創業項目的支持，這些榮譽和項目支持彰顯了鎵仁半導體在技術創新和產業應用方面的領先地位。