國家知識產權局信息顯示，飛锃半導體（上海）有限公司申請一項名為“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號 CN 118888448 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本申請提供半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有外延層，所述外延層中形成有第一摻雜區、位于所述第一摻雜區中的第二摻雜區以及位 于所述第二摻雜區中的第三摻雜區所述外延層表面形成有暴 露部分所述第三摻雜區的柵極氧化層和柵極層；第一開口，位 于所述暴露的第三摻雜區中；第一金屬硅化物，位于所述第一 開口中；層間介質層，位于所述第一金屬硅化物表面。本申請提 供一種半導體結構及其形成方法，可以提高第一金屬硅化物的 對準精度；提高第一金屬硅化物和第二金屬硅化物的電連接 性；提高電場分布，提高器件性能和可靠性。