國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“檢測(cè)晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置”的專利，公開號(hào) CN 119133024 A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種檢測(cè)晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置。所述檢測(cè)晶圓位置的方法包括如下步驟：提供卡盤，所述卡盤包括用于承載晶圓的承載面，所述承載面的中心具有承載中心坐標(biāo)；放置晶圓于所述卡盤上；獲取所述晶圓邊緣上的多個(gè)位置相對(duì)于所述承載面的中心的邊緣坐標(biāo)；根據(jù)多個(gè)所述邊緣坐標(biāo)計(jì)算所述晶圓的中心的坐標(biāo)，作為晶圓中心位置坐標(biāo)；判斷所述晶圓中心位置坐標(biāo)與所述承載中心坐標(biāo)是否重合，若否，則確定所述晶圓在所述卡盤上的位置發(fā)生偏移。本發(fā)明能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝的順利進(jìn)行，避免對(duì)所述晶圓造成碎片等損傷，改善了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能和制造良率。