2月28日，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2)，為光伏等領域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。這款模塊產品(IV3B20023BA2)尺寸與標準的Easy 3B封裝相同，殼體高度僅12mm，能壓縮應用系統的體積；不同之處在于，3B封裝加裝了金屬底座，如下圖2，讓模塊安裝更牢固，同時消除了塑料底座老化的隱患，更安全可靠。

圖1，模塊外觀

模塊電路拓撲

這款模塊產品(IV3B20023BA2)內部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監測溫度，如下圖3，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個性化設計需求。相對于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時顯著簡化了電路的設計。

此外，該模塊具有開爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開關時，抑制驅動電壓尖峰，保障系統安全和高效。

圖2，模塊拓撲

2000V SiC MOSFET和SBD芯片

這款模塊產品(IV3B20023BA2)中每一路升壓電路由2000V 23mΩ MOSFET和2000V 40A SBD芯片組成。其中2000V SiC MOSFET采用成熟的第二代平面柵SiC MOSFET工藝技術，具有良好的性能和可靠性表現，支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關斷電壓，室溫額定電流65A；其中2000V SiC SBD的正向壓降(Vf)具有正溫度系數，有利于并聯均流，保障系統安全穩定。

2000V SiC模塊的應用價值

隨著電力電子技術的發展，在光伏、儲能、電網等領域的功率變換系統呈現2個趨勢：一是追求更高工作頻率，以縮減電感和電容規格，降低物料成本，提升效率和功率密度；二是追求更高母線電壓，以降低器件的導通電流和損耗，提升系統效率。

2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路（MPPT）。如下圖3所示，在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡化電路拓撲、減少元器件數量，降低總物料成本，同時讓應用控制更簡單：

圖3，升壓變換電路拓撲

對比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產品(IV3B20023BA2)，除了上述優勢，還進一步簡化了電路設計，大幅提升了功率密度，如下圖4所示：

圖4，光伏應用拓撲

（來源：瞻芯電子）