專利摘要顯示，本發明提供了一種用于物理氣相傳輸法生長碳化硅單晶的坩堝，所述坩堝包括坩堝主體以及設置在坩堝中的多孔石墨件；所述多孔石墨件為側面具有對稱凹面的圓柱形多孔石墨件或單頁雙曲面形狀的石墨件。本發明設計了一種高效、快捷地改善溫場和流場的坩堝，能夠明顯的提高物理氣相傳輸法生長碳化硅單晶過程中原料的利用率。本發明采用物理氣相傳輸法，結合碳化硅晶體生長熱力學、動力學和結晶學過程，在坩堝底部安裝自研的兩邊凹的空心圓柱形多孔石墨件，石墨件可以起到優化溫度場和調控物質傳輸過程、改善原料中部氣體輸運通道重結晶導致氣相組分輸運困難，確保碳化硅原料被充分利用，實現原料利用率最大化的目的。

天眼查資料顯示，北京天科合達半導體股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本50600萬人民幣，實繳資本50600萬人民幣。通過天眼查大數據分析，北京天科合達半導體股份有限公司共對外投資了8家企業，參與招投標項目256次，財產線索方面有商標信息42條，專利信息159條，此外企業還擁有行政許可148個。