據報道，三星電子開始研發1nm（納米，10億分之1米）晶圓代工工藝。由于在即將量產的2nm工藝等技術上與臺積電存在現實差距，三星電子計劃加快1nm級工藝的開發，以創造反轉機會。

據9日業界消息，三星電子半導體研究所最近啟動了1nm工藝的開發。部分參與2nm等最尖端工藝開發的研究員被選拔出來，組成了項目團隊。在三星電子目前公開的晶圓代工工藝路線圖中，2027年計劃量產的1.4nm工藝是最尖端的。

1nm工藝需要打破現有設計框架的新技術概念，以及引入高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機等下一代設備。消息稱，三星方面將量產時間定在2029年之后。

在三星電子正在量產的3nm和今年計劃量產的2nm領域，三星技術落后于臺積電。特別是在2納米方面，臺積電的良率已超過60%，與三星電子的差距不小，因此提前啟動了1nm工藝開發。

與此同時，三星的競爭對手也在加快1nm級工藝的開發。臺積電去年4月宣布將在2026年下半年開始生產介于1.4nm和2nm之間的1.6nm（16A）技術。此舉被視為應對快速變化的人工智能（AI）半導體市場技術需求，并為下一代工藝搭建橋梁。

（來源：集微）