近日，NextGO Epi正式宣布成立，作為一家專注于高品質β-Ga2O3 外延片的大規模制造公司，旨在為高功率和光電探測應用提供關鍵材料。NextGO Epi 是德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）的孵化企業，由周大順博士、Andreas Popp博士和Andreas Fiedler博士于2025年共同創立。
NextGO Epi采用金屬有機化學氣相沉積 (MOVPE) 技術，致力于為電動汽車、軌道交通系統和可再生能源基礎設施等關鍵領域提供具有顯著成本和性能優勢的氧化鎵基外延片。隨著全球對高效能源管理解決方案需求的快速增長，公司將成為全球領先的氧化鎵外延片供應商，助力客戶實現更高效的高功率器件，減少能源損耗。預計于下半年對外供應兩寸至四寸的外延片。
NextGO Epi的長期愿景是通過與行業領先的企業合作，例如Infineon、日立能源、ZF、博世、Nexperia 等，推動氧化鎵在電力電子領域的廣泛應用，成為全球氧化鎵外延技術的創新領導者。此外，公司也積極參與歐洲半導體生態系統建設，充分利用柏林地區豐富的研究資源和人才，強化歐洲半導體供應鏈的韌性。作為外延片的提供者，NextGO Epi 積極與全球襯底供應商達成戰略合作，目前與杭州鎵仁和日本 NCT 已建立了戰略合作關系，共同推動氧化鎵基材料的發展。
公司創始人兼CEO周大順博士表示：“我們創立 NextGO Epi 的初衷是通過尖端的氧化鎵外延技術，推動電力電子行業的可持續發展。只有當市面上有充足且高品質的外延片，氧化鎵器件的成熟度跟可靠度才能獲得保障。我們也積極與國內優秀的廠商合作，一起推動氧化鎵的產業化”。
關于 NextGO Epi
NextGO Epi 是一家專注于氧化鎵外延片制造的科技公司，致力于為全球客戶提供高質量、高可靠性的外延材料，以支持下一代高功率半導體器件的研發和生產。公司總部位于德國柏林，依托萊布尼茨晶體生長研究所的技術積累，致力于成為全球氧化鎵外延片領域的領導者。
關于 鎵仁半導體
杭州鎵仁半導體有限公司是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發、生產和銷售的科技型企業。鎵仁半導體引領行業創新，采用自主研發的鑄造法單晶生長新技術，全球首發8英寸氧化鎵單晶襯底，創造了從2英寸到8英寸，每年升級一個尺寸的行業紀錄；開發了國內首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設備，全面對外銷售。鎵仁半導體立足于解決國家重大需求，已掌握氧化鎵生長、加工、外延等全鏈條的核心技術，獲得14項國際國內發明專利，深耕于氧化鎵上游產業鏈的持續創新，努力為我國的電力電子等產業的發展提供產品保障。
（來源：鎵仁半導體、亞洲氧化鎵聯盟）