T/CASAS 052—2024《非鉗位感性負(fù)載開關(guān)應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》描述了執(zhí)行非鉗位感性負(fù)載應(yīng)力下氮化鎵高電子遷移率晶體管在線測(cè)試方法，包括原理、測(cè)試條件、儀器設(shè)備、測(cè)試步驟、試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理和試驗(yàn)報(bào)告。適用于封裝級(jí)GaN HEMT器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)價(jià)及應(yīng)用評(píng)估。

【本文件主要起草單位】

電子科技大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、大連理工大學(xué)、上海大學(xué)、北京大學(xué)、北京大學(xué)東莞光電研究院、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、杭州長川科技股份有限公司、是德科技（中國）有限公司、佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【本文件主要起草人】

孫瑞澤、陳萬軍、明鑫、施宜軍、黃火林、任開琳、魏進(jìn)、劉強(qiáng)、曾威、王小明、石瑜、夏云、劉成、裴軼、孫海洋、耿霄雄、孫承志、陳希辰、高偉。