格羅方德（GF）將在未來幾年斥資11億歐元，使其位于德國德累斯頓的芯片工廠的產量翻一番。

此前，格羅方德宣布已為美國紐約州馬耳他CMOS工廠和佛蒙特州氮化鎵（GaN）工廠額外注資30億美元。該公司還宣布為這些工廠以及最近啟動的紐約先進封裝和光子學中心注資130億美元。然而，美國政府正在撤回對佛蒙特州和封裝中心的支持。

德累斯頓晶圓廠的投資將使格羅方德晶圓年產量在未來幾年翻一番，達到150萬片。該晶圓廠是用于功率和射頻器件的22nm 22FDX FD-SOI低功耗工藝技術的關鍵，同時也為汽車和物聯網MCU（微控制器）等器件提供28nm、40nm和55nm工藝。

該晶圓廠目前擁有6萬平方米的潔凈室空間，員工約3200人。該公司一直在尋求第二個IPCEI（歐洲共同利益重要項目）的10億歐元資助，該項目已于2023年6月獲得批準。該交易獲得了德國政府數億歐元的支持。

格羅方德與Indie Semiconductor建立了戰略合作伙伴關系，基于22FDX工藝開發77GHz和120GHz雷達系統級芯片（SoC），用于安全關鍵型高級駕駛輔助系統（ADAS）芯片。此外，格羅方德還與博世合作，開發基于22FDX工藝的單芯片雷達傳感器。

格羅方德還與Ayar Labs合作，利用單片光子學平臺開發業界首款UCIe光互連芯片。

競爭對手方面，德國政府還為位于德累斯頓的英飛凌智能電源晶圓廠提供10億歐元的支持。

與此同時，臺積電也正在與恩智浦半導體和博世合作，在德累斯頓建設一座采用類似工藝技術的晶圓廠ESMC。ESMC專注于28nm和22nm工藝技術，并獲得50億歐元的歐洲補貼。

（來源：集微）