?6月10日，國家重點研發計劃"戰略性科技創新合作"重點專項"氧化鎵單片功率電子集成器件研究"項目啟動會暨實施方案論證會在中山大學東校園舉行。該項目由中山大學電子與信息工程學院（微電子學院）盧星副教授擔任負責人，旨在突破氧化鎵半導體關鍵技術瓶頸。

會議特邀香港科技大學劉紀美院士、中國科學技術大學龍世兵教授、中國電科十三所馮志紅研究員、南方科技大學宋愛民教授、深圳大學黃磊教授等知名專家組成論證專家組。中山大學科學研究院縱向處羅夢娜副處長、電子與信息工程學院（微電子學院）副院長鄭少勇教授以及項目組成員共20余人出席會議。

羅夢娜副處長代表項目依托單位致辭，強調學校將嚴格落實國家重點研發計劃管理規定，強化主體責任，確保項目高質量實施。鄭少勇副院長表示，學院將全力為項目開展提供保障，期待項目團隊協同創新，圓滿完成既定目標。

在龍世兵教授主持的論證環節中，項目負責人盧星副教授系統匯報了項目規劃。面對“雙碳”戰略實施和氧化鎵關鍵材料禁運的雙重挑戰，中山大學聯合浙江大學、中國電科十三所、西安電子科技大學、深圳信息職業技術學院、澳門大學等優勢單位，將重點突破氧化鎵單晶襯底制備、同質外延生長、器件工藝等核心技術，構建"材料-器件-集成"全鏈條創新體系，推動我國在超寬帶隙半導體領域的自主可控發展。

論證專家組認真聽取了項目實施方案匯報，經過質詢和充分討論，認為項目研究內容重點突出，技術路線合理可行，實施方案具有可操作性；項目組織管理機制完善，預期成果與考核指標明確，研發進度計劃安排合理。專家組一致同意通過項目實施方案論證，并就技術路線優化、具體實施方案等方面提出了建設性意見。專家組特別強調，項目團隊應加強協同攻關，著力解決關鍵科學問題和技術難題。

此次會議的順利召開，標志著該項目正式進入實施階段，項目團隊將根據專家意見進一步完善方案細節，細化任務分工，確保研發工作有序推進。同時，團隊也將加強與相關單位的協作，力爭按時保質完成研發目標，為我國第三代半導體技術的創新發展貢獻力量。

(來源：中山大學電子與信息工程學院)