9月6日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在南京市江寧開發(fā)區(qū)舉行。國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）主任陳辰介紹，經(jīng)過摸底調(diào)研，該中心排出國(guó)家重點(diǎn)需求在新能源汽車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網(wǎng)等五大跑道，確定了攻堅(jiān)“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應(yīng)用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大方向，從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、材料生長(zhǎng)、器件制備、系統(tǒng)應(yīng)用等四個(gè)方面，聯(lián)合生態(tài)伙伴們一道攻關(guān)。

該中心一期項(xiàng)目依托中電集團(tuán)55所原有廠房區(qū)域，以存量帶增量的方式，打造6英寸SiC（碳化硅）電力電子器件研發(fā)與中試平臺(tái)，在國(guó)內(nèi)率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)技術(shù)，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅器件技術(shù)體系。二期項(xiàng)目計(jì)劃于2024年開建，工廠將打造8英寸第三代半導(dǎo)體芯片制造、先進(jìn)晶圓封裝、模塊封裝平臺(tái)。

活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)集中簽約的10個(gè)項(xiàng)目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測(cè)及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局。

（來源：新江蘇·中國(guó)江蘇網(wǎng)）