據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種高動態穩定性的GaN器件“，公開號CN117410327A，申請日期為2023年1月。專利摘要顯示，本發明公開了一種高動態穩定性的GaN器件，在GaN HEMT的柵極帽層上采用歐姆接觸電極?介質層?柵極互連金屬的結構，該歐姆接觸電極至少與第一耗盡型器件或電阻相連。在器件開啟過程中，歐姆接觸電極的存在能夠消除閾值電壓漂移，在柵極電壓進一步增大時，由第一耗盡型器件或電阻承受過高的柵極電壓，有效抑制柵極電流；且柵極互連金屬與歐姆接觸電極之間通過介電層形成一個大電容，從而提高柵極的驅動速率。所述GaN器件進一步包括第二耗盡型器件，以在關斷過程中釋放GaN HEMT柵極帽層中積累的正電荷。本發明可以增大GaN HEMT的驅動電壓擺幅，降低驅動電流，消除閾值電壓漂移現象，從而提高GaN HEMT的動態穩定性。