?近日，據“湖北新聞”透露，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投產，達產后預計可年產36萬片6英寸SiC晶片及外延片、年產6100萬個功率器件模塊。

據悉，2023年8月25日，武漢市東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。

值得一提的是，2023年5月，長飛先進半導體明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發展戰略，全面發力SiC賽道。當年7月，長飛先進半導體SiC戰略項目（KO）A樣品達到預期設計目標，標志著長飛先進半導體擁有車規級SiC MOSFET產品自主研發能力。

據了解，長飛先進擁有完全自主知識產權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺，15mohm產品比導通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。除此之外，長飛先進基于該平臺的主驅SiC MOSFET晶圓產品良率達80%。

2023年12月，長飛先進首顆自研產品1200V 20A SiC SBD正式進入試產階段，標志著長飛先進已具備SiC產品自主研發及量產能力。