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2025年4月17日，捷捷微電披露接待調(diào)研公告，公司于4月16日接待博時(shí)基金、東北電子、東方基金、國(guó)聯(lián)基金管理、國(guó)信證券等48家機(jī)構(gòu)

4月18日，國(guó)新辦召開新聞發(fā)布會(huì)，介紹2025年一季度工業(yè)和信息化發(fā)展情況。記者從會(huì)上獲悉，今年一季度，作為新質(zhì)生產(chǎn)力的重要組

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

總投資5100余萬元建成后可助力龍游的半導(dǎo)體企業(yè)輕裝上陣。近日，芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工驗(yàn)收。4月9日上午，在芯盟高等級(jí)功

近期，全國(guó)建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境信息公示平臺(tái)發(fā)布了河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收公示。該項(xiàng)目

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年10月18日，申

納微半導(dǎo)體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車市

據(jù)中建一局建設(shè)發(fā)展公司官微消息，近日，中建一局建設(shè)發(fā)展公司中標(biāo)日月新半導(dǎo)體（廣州）有限公司新建項(xiàng)目一期土建及一般機(jī)電包工

2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。作為其中的重頭戲

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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司取得一項(xiàng)名為模式調(diào)控

4月16日， 比利時(shí)半導(dǎo)體供應(yīng)商邁來芯（Melexis）正式公布其中國(guó)戰(zhàn)略的未來規(guī)劃。公司將基于在中國(guó)現(xiàn)有的業(yè)務(wù)根基，增設(shè)本地物流

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法 痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀國(guó)標(biāo)（北京）檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司劉紅一、

4月23-25日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在湖北武漢光谷科技會(huì)展中心隆重召開，華中科技大學(xué)EMBA思享

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作為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的行業(yè)盛會(huì)，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將于4月23日至25日在中國(guó)光

英諾賽科(02577.HK)公告，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零

近日，電科芯片所屬西南設(shè)計(jì)牽頭制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測(cè)試方法》正式實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成