粵芯半導體迎來發展史上的又一重大里程碑時刻。
鎵仁半導體在超寬禁帶半導體材料領域取得重大突破
廈門大學恒坤科技先進半導體材料聯合創新中心(簡稱聯合創新中心)日前在廈大思明校區簽約揭牌。該中心是廈門大學與廈門恒坤新材料
國家知識產權局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202
天眼查顯示，蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司近日取得一項名為一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法的專利，授權
又見跨界收購半導體資產，這次是“一代鞋王”奧康。
氮化物基發光二極管（LED）可廣泛應用于照明、顯示及通信領域。其中，光源的線偏振特性作為一項關鍵的功能擴展，為顯示背光、3D
12月24日，華工科技半導體激光裝備產業創新聯合實驗室啟動儀式在華工激光舉行。聯合實驗室是武漢市首批10家聯合實驗室之一，以半
科瑞半導體實施功率半導體產業鏈倍增計劃，推進第三代半導體等功率器件封測產線的升級，于6月投資啟動實施一期項目IGBT、SiC第三代半導體基礎工藝封測產線建設，擴建半導體功率器件框架生產線，主要應用于充電樁、新能源汽車等領域。
天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司基于S參數的數據處理方法、裝置及電子設備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申
據港交所12月23日披露，廣東天域半導體股份有限公司(以下簡稱為天域半導體)向港交所主板提交上市申請書，中信證券為獨家保薦人。
該調查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導體制造投入的晶片生產的影響。
國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備的專利，公開號 CN 119153
唐晶量子化合物半導體外延片研發和生產項目將扭轉化合物半導體激光器外延片長期依賴進口的局面，助力下游半導體激光器、射頻芯片等國產化。
晶益通半導體官方消息宣布，IGBT模塊材料和封測模組產業園一期項目已順利封頂，項目預計將在明年4月竣工并交付使用。
新站高新區與深記設備搬運安裝有限公司舉行項目簽約儀式，進一步助力我區新型顯示、半導體產業發展。
12月14日，由半導體投資聯盟主辦、愛集微承辦的2025半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮在上海圓滿舉行?，F場，東方晶源微電子科技
國家知識產權局信息顯示，萬國半導體國際有限合伙公司申請一項名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開號 CN
國家知識產權局信息顯示，廣東中圖半導體科技股份有限公司申請一項名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延
在近期發表于 Science 的研究中，德國赫姆霍茲研究所Christoph J. Brabec和武建昌聯合廈門大學王露遙、卡爾斯魯厄理工學院 Pascal Friederich和韓國蔚山國立科學技術院Sang Il Seok開發了一種閉環自動化工作流程，首次實現了針對光電應用的有機半導體逆向設計，通過大數據和機器學習識別出決定有機半導體光電性能的關鍵因素，并將器件性能提升至26.2%的光電轉換效率（PCE），這是該領域的重要突破。