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11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。九域半導(dǎo)體將攜多款設(shè)備產(chǎn)品亮相此次展會。誠邀同仁共聚論壇，蒞臨A31 號展位參觀交流、洽談合作。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請一項(xiàng)名為一種光刻機(jī)對準(zhǔn)方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，重慶芯聯(lián)微電子有限公司申請一項(xiàng)名為掩膜版圖形及其優(yōu)化方法的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期

10月29日，由東海投資與淄博市臨淄區(qū)共同出資設(shè)立的淄博東海新驅(qū)動創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）完成基金備案，總規(guī)模2億元。東

據(jù)蘇州高新區(qū)消息，10月29日，冠禮全國總部及產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目在蘇州高新區(qū)正式開工奠基。該項(xiàng)目由蘇州冠禮科技有限公司投資建設(shè)，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司取得一項(xiàng)名為定位裝置的專利，授權(quán)公告號CN 221885077 U，申請日期為2024

團(tuán)聚金剛石技術(shù)是中機(jī)新材在金剛石減薄砂輪領(lǐng)域的一大創(chuàng)新。通過這一技術(shù)，能夠有效地解決微粉磨料的軟團(tuán)聚問題，提高混料的均勻性。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。目前，“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會”最新報(bào)告日程正式出爐。

河北：推動新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

美國芝加哥大學(xué)普利茲克分子工程學(xué)院團(tuán)隊(duì)展示了界面生物電子學(xué)領(lǐng)域的新突破：他們創(chuàng)造出具有強(qiáng)大半導(dǎo)體功能的新型水凝膠材料。

10月28日，光谷機(jī)器人生態(tài)創(chuàng)新中心（以下簡稱中心）啟動，華中科技大學(xué)、武漢科技大學(xué)、武漢工程大學(xué)等首批12所高校機(jī)器人研發(fā)團(tuán)

熱烈慶祝盛美臨港研發(fā)與制造中心迎來里程碑時(shí)刻——首臺量測設(shè)備 KLA-Tencor Surfscan SP7入駐研發(fā)潔凈室！

作為IFWS的重要技術(shù)分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報(bào)告日程正式出爐！

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報(bào)告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實(shí)驗(yàn)室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報(bào)告。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司取得一項(xiàng)名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權(quán)公告號CN 2218

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，漢斯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司取得一項(xiàng)名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權(quán)公告號 CN 221871