近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車
12月6日，博世與蘇州工業園區簽署擴大產業合作協議。博世自1999年布局蘇州以來，持續加大投資力度。今年3月，博世投資10億美元在
近日，河北同光半導體股份有限公司（簡稱：同光股份）宣布完成F輪融資。本輪融資規模為15億元，由深創投制造業轉型升級新材料基
晶體管是三端電子器件，其發展的主要動力是由摩爾定律主宰的微縮技術：通過使晶體管尺寸越來越小，越來越多的晶體管可以被制造到
2023年11月28日，經CASAS管理委員會第二屆第二次會議決議，CASAS正式成立SiC功率器件與模塊工作組、 GaN功率器件與模塊工作組。S
12月5日，華測檢測在上海浦東金橋產業園舉辦華測蔚思博(CTI-VESP)金橋芯片實驗基地的開業典禮。華測檢測集團總裁申屠獻忠表示，
十四五開局之始，各地方政府積極把握新時期經濟社會發展戰略方向，構建新發展格局。廣東省率先發布《廣東省制造業高質量發展十四
材料的更替是現代科技進步的根本推動力。作為第三代半導體材料，立方氮化硼（c-BN）具有僅次于金剛石的硬度，在高溫下良好的化學
金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導率等優異特性，被認為是終極半導體材料，已成為國內外研究熱
半導體材料是信息技術產業的基石，氧化鎵（Ga2O3）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也
高效高可靠的量子點白光LED封裝和熱管理對于LED照明應用至關重要，直接影響著LED的性能、穩定性和壽命。關于高效高可靠量子點白
未來顯示產品形態多樣，功能要求嚴格，具有高度集成潛力的Mini/Micro LED顯示技術脫穎而出。MicroLED可用作光電探測器來接收外部
Micro-LED技術應用已從大屏顯示擴展到微顯示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優勢，已
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，超寬禁帶
近日，中國科學技術大學龍世兵課題組提出了一種Ga2O3光電探測器的交變柵壓調制方案，為光電探測器的研究提供了新的思路。日盲光
新華社北京12月4日電關于國家卓越工程師和國家卓越工程師團隊擬表彰對象的公示為表彰工程技術領域先進典型，激發引領廣大工程技
11月28日，位于海口市海南航芯高科技產業園的海南航芯項目首期竣工投產。這是海南發展集成電路產業破局性、引領性的引擎項目，標
科技日報記者 劉垠11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門召開。國家新材料產業發展專家咨
昨日第九屆國際第三代半導體論壇暨第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門國際會議中心舉行論壇由廈門市人民政府、廈門大學第三代
2023年11月30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心勝利閉幕。